硅单晶电阻率的检测

　　硅单晶电阳率是指在一定温度下，硅单晶材料单位长度内电阻的大小。它是衡量硅单晶材料导电性能的一个重要参数，通常以Ω.cm为单位表示。电阻率的大小与硅单晶材料的纯度、掺杂元素、晶体结构等因素密切相关。

检测项目

　　四探针法 直流光电导衰退法 电桥法

检测标准

　　GB/T 1552-1995 硅、锗单晶电阻率测定 直排四探针法

　　GB/T 1551-1995 硅、锗单晶电阻率测定 直流两探针法

　　20065629-T-469 硅片电阻率测定 扩展电阻探针法

　　GB/T 6617-1995 硅片电阻率测定 扩展电阻探针法

　　GB/T 6617-2009 硅片电阻率测定 扩展电阻探针法

　　检测周期:3-15个工作日(可加急)

　　报告资质：CNAS、CMA、CAL等

　　检测费用：根据客户需求及实验复杂程度报价

　　检测流程步骤

　　1、电话沟通、确认需求;

　　2、推荐方案、确认报价;

　　3、邮寄样品、安排检测;

　　4、进度跟踪、结果反馈;

　　5、出具报告、售后服务;

　　6、如需加急、优先处理;